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NTMFS4825NFE
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
8000
7000
6000
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
C iss
11
10
9
8
Q T
5000
7
4000
3000
6
5
4
Q gs
Q gd
2000
1000
C rss
C oss
3
2
1
I D = 30 A
T J = 25 ° C
V DD = 15 V
0
0
4
8
12
16
20
24
28
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
30
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(on)
15
10
5
1
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10
1
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
400
350
300
250
200
150
I D = 50 A
0.1
0.01
0.1
1
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10
dc
100
100
50
0
25
50 75
100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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